Root NationΝέαειδήσεις πληροφορικήςΗ Western Digital παρουσίασε τη μνήμη flash UFS 3.1

Η Western Digital παρουσίασε τη μνήμη flash UFS 3.1

Η Western Digital παρουσίασε επίσημα τη δεύτερη γενιά μονάδων flash για φορητές συσκευές UFS 3.1. Οι νέες μονάδες ονομάζονται Western Digital iNAND MC EU551 και αποτελούν κατάλληλη λύση για πολυμέσα υψηλής ευκρίνειας, βίντεο 8Κ, επαυξημένη και εικονική πραγματικότητα.

Η εταιρεία αναμένει ότι η επόμενη γενιά smartphone 5G από κορυφαίους κατασκευαστές θα επωφεληθεί από τη νέα μνήμη UFS 3.1. Οι κορυφαίες βελτιώσεις στο υλικό iNAND MC EU551 περιλαμβάνουν υποστήριξη για 5G, Wi-Fi 6E, εγγραφή περιεχομένου 8K, εφαρμογές AR και τεχνητή νοημοσύνη.

Western Digital iNAND EU551 MCUFS 256 GB

Η μετάβαση από 4Κ σε 8Κ σημαίνει σχεδόν διπλασιασμό του μεγέθους του αρχείου. Για παράδειγμα, ένα αρχείο που γυρίστηκε στα 60 fps σε 4K είναι περίπου 600 MB. Το ίδιο αρχείο βίντεο σε 8K φτάνει το 1 GB. Γι' αυτό οι νέες μονάδες θα είναι διαθέσιμες με χωρητικότητα 512 GB ενσωματωμένης μνήμης.

Οι κατασκευαστές θα μπορούν επίσης να διαμορφώσουν τις μελλοντικές τους συσκευές με εκδόσεις 3.1 GB ή 128 GB του αποθηκευτικού χώρου UFS 256 δεύτερης γενιάς της Western Digital.

Επίσης ενδιαφέρον:

Οι νέες μονάδες iNAND MC EU551 είναι τα πρώτα προϊόντα υλικού που βασίζονται στην τελευταίας γενιάς πλατφόρμα UFS 3.1, η οποία παρουσιάστηκε στα τέλη Μαΐου. Οι βασικές βελτιώσεις περιλαμβάνουν μνήμη NAND υψηλότερης απόδοσης, ταχύτερο ελεγκτή και βελτιστοποιημένο σχεδιασμό υλικολογισμικού.

iNAND MC EU551

Οι χρήστες μπορούν να αναμένουν έως και 90% μεγαλύτερες ταχύτητες εγγραφής και περίπου 30% μεγαλύτερες ταχύτητες ανάγνωσης με το iNAND MC EU55. Οι προδιαγραφές περιλαμβάνουν επίσης την τεχνολογία Write Booster που βασίζεται στην έβδομη γενιά SmartSLCTM και Host Performance Booster 2.0.

Η Western Digital αναμένει ότι τα πρώτα smartphone με μνήμη UFS 3.1 τελευταίας γενιάς θα είναι διαθέσιμα στην αγορά μέχρι το τέλος του έτους.

Διαβάστε επίσης:

Εγγραφείτε
Ειδοποίηση για
επισκέπτης

0 Σχόλια
Ενσωματωμένες κριτικές
Δείτε όλα τα σχόλια
Εγγραφείτε για ενημερώσεις