Αναμένεται ότι Samsung θα ανακοινώσει την έναρξη της μαζικής παραγωγής τσιπ 3nm την επόμενη εβδομάδα, αναφέρει το Yonhap News. Αυτό τοποθετεί την εταιρεία μπροστά από την TSMC, η οποία αναμένεται να ξεκινήσει την παραγωγή τσιπ 3nm το δεύτερο εξάμηνο του τρέχοντος έτους.
Σε σύγκριση με τη διαδικασία των 5 nm (η οποία χρησιμοποιήθηκε για το Snapdragon 888 και το Exynos 2100), ο κόμβος 3 nm της Samsung θα μειώσει την περιοχή κατά 35%, θα αυξήσει την απόδοση κατά 30% και θα μειώσει την κατανάλωση ενέργειας κατά 50%.
Αυτό θα επιτευχθεί με τη μετάβαση στη σχεδίαση τρανζίστορ Gate-All-Around (GAA). Είναι το επόμενο βήμα μετά το FinFET, καθώς επιτρέπει τη μείωση του μεγέθους των τρανζίστορ χωρίς να διακυβεύεται η ικανότητά τους να μεταφέρουν ρεύμα. Ο σχεδιασμός GAAFET που χρησιμοποιείται στον κόμβο των 3nm φαίνεται στο παρακάτω σχήμα.
Ο πρόεδρος των ΗΠΑ Τζο Μπάιντεν επισκέφθηκε το εργοστάσιο τον περασμένο μήνα Samsung στο Pyeongtaek για να λάβει μέρος σε επίδειξη τεχνολογίας 3nm Samsung. Πέρυσι, υπήρχαν φήμες ότι η εταιρεία ενδέχεται να επενδύσει 10 δισεκατομμύρια δολάρια για την κατασκευή ενός χυτηρίου 3 nm στο Τέξας. Αυτές οι επενδύσεις έχουν αυξηθεί στα 17 δισ. δολάρια. Το εργοστάσιο αναμένεται να ξεκινήσει τη λειτουργία του το 2024.
Σε κάθε περίπτωση, η μεγαλύτερη ανησυχία κατά τη δημιουργία ενός νέου κόμβου είναι η έξοδος. Τον περασμένο Οκτώβριο Samsung δήλωσε ότι η απόδοση της διαδικασίας των 3 nm "προσεγγίζει το ίδιο επίπεδο με τη διαδικασία των 4 nm". Αν και η εταιρεία δεν έχει παρουσιάσει επίσημα στοιχεία, οι αναλυτές πιστεύουν ότι ο κόμβος των 4 nm Samsung συνδεόταν με προβλήματα παραγωγής.
Ένας κόμβος 3 nm δεύτερης γενιάς αναμένεται το 2023 και ο οδικός χάρτης της εταιρείας περιλαμβάνει επίσης έναν κόμβο 2 nm που βασίζεται σε MBCFET το 2025.
Μπορείτε να βοηθήσετε την Ουκρανία να πολεμήσει ενάντια στους Ρώσους εισβολείς. Ο καλύτερος τρόπος για να γίνει αυτό είναι να δωρίσετε χρήματα στις Ένοπλες Δυνάμεις της Ουκρανίας μέσω Savelife ή μέσω της επίσημης σελίδας NBU.
Διαβάστε επίσης:
Αφήστε μια απάντηση